۰
plusresetminus
يکشنبه ۲۶ اسفند ۱۳۸۶ ساعت ۰۱:۳۳

IBM یک قدم دیگر به ساخت نانوترانزیستور نزدیک شد

این محققین موفق شدند یکی از مشکلات پیچیده‌ای را که مانع از ساخت ترانزیستورهایی با استفاده از قطعات کوچک گرافیت می‌شده از پیش پای خود بردارند. دانشمندان تاکنون تلاش می‌کردند مدارهایی را با استفاده از گرافین یعنی ساختاری شبکه‌ای و دوبعدی از اتم‌های کربن ایجاد کنند. خواص الکترونیکی گرافین این ماده را به جانشینی ایده‌آل برای ترانزیستورهای سیلیکونی که از حجم و اندازه‌ای به مراتب بزرگ‌تر برخوردار هستند مبدل ساخته است. با این حال بزرگ‌ترین مشکلی که محففین در کار با گرافین با آن مواجه بودند این مطلب است که این ماده بسیار مستعد ایجاد تداخلات فرکانسی می‌باشد. سیگنال‌های الکتریکی که در اطراف ساختمان اتم‌ها ایجاد می‌شود کارکرد عادی آنرا مختل نموده و سبب بروز حالتی می‌شود که به آن «قانون هوگ» می‌گویند. دانشمندان IBM این مشکل را با افزودن لایه دومی از گرافین به ترانزیستور مرتفع نمودند. به کارگیری لایه دوم موجب خواهد شد تا اثر تداخلی تا اندازه‌ای کاهش یابد که ترانزیستور بتواند عملکرد عادی خود را بازیابد.
کد مطلب: 9390
نام شما
آدرس ايميل شما

گوشی شما دارای کدام سیستم عامل است؟
اندروید
iOS
ویندوزفون
بلک‌بری
هیچکدام