ايتنا - همکاری راهبردی شرکت‌های آمریکایی و کره‌ای برای توسعه نسل بعدی تبدیل توان

شرکت ناویتاس سمی‌کانداکتور (Navitas Semiconductor) و شرکت مگناچیپ سمی‌کانداکتور (Magnachip Semiconductor) از یک مشارکت راهبردی برای تسریع پذیرش فناوری‌های کاربید سیلیکون در بازارهای توان ولتاژ بالا و فرابالا خبر داده‌اند.

بر اساس بیانیه مطبوعاتی، مگناچیپ فناوری جین‌اس‌آی‌سی ناویتاس را برای ورود به بازارهای کاربید سیلیکون ولتاژ بالا و فرابالا مجوز خواهد گرفت.

به گزارش ایتنا و به نقل از Interesting Engineering، این مجوز فناوری‌های جین‌اس‌آی‌سی با ولتاژهای ۱۲۰۰، ۲۳۰۰، ۳۳۰۰ و بالاتر را پوشش می‌دهد که به مگناچیپ امکان می‌دهد بر روی سکوهای اثبات‌شده ناویتاس برای کاربردهای تبدیل توان نسل آینده بسازد.

گفتنی است ناویتاس به مگناچیپ دسترسی به زنجیره تأمین و مواد اولیه کاربید سیلیکون خود را خواهد داد و از ورود سریع‌تر به بازار پشتیبانی می‌کند.

این شرکت‌ها برنامه دارند تا فناوری را در تأسیسات تولیدی مگناچیپ در کره جنوبی بومی‌سازی کنند و انتظار می‌رود این رویکرد به تسریع ورود مگناچیپ به بازار کاربید سیلیکون کمک کند.

فناوری کاربید سیلیکون به طور مستقیم بر خودروهای الکتریکی، انرژی‌های تجدیدپذیر، مراکز داده هوش مصنوعی و هوافضا تأثیر می‌گذارد، با این حال توافق این شرکت‌ها فراتر از آن است.

در بیانیه مطبوعاتی، شرکت‌ها خاطرنشان کردند که دامنه کامل مشارکت آنها «انتظار می‌رود بعداً جزئی‌تر اعلام شود.

بر اساس اعلام شرکت‌ها، فناوری‌های مجوزگرفته انتظار می‌رود از کاربردهای نسل بعدی از جمله زیرساخت انرژی و شبکه، ذخیره‌سازی انرژی، برق‌رسانی صنعتی، خودرو و سایر سیستم‌های توان بالا پشتیبانی کنند.

گفتنی است شرکت ناویتاس به عنوان رهبر نسل بعدی نیمه‌رساناهای توان، به ویژه فناوری نیترید گالیم و کاربید سیلیکون ولتاژ بالا، نوآوری را در مراکز داده هوش مصنوعی، زیرساخت انرژی و برق‌رسانی صنعتی هدایت می‌کند.