کد QR مطلبدریافت لینک صفحه با کد QR

همکاری سامسونگ و سان میکروسیستمز برای ساخت حافظه‌های فلش جدید

30 تير 1387 ساعت 8:48


در اطلاعیه مشترکی که از جانب این دو شرکت منتشر شده آمده است حافظه‌های NAND جدید که از نوع SLC می‌باشد از نظر تعداد دفعات نوشتن و خواندن، پنج برابر بیشتر از SLCهای استاندارد عمر می‌کنند. این حافظه‌ها برای بکارگیری در درایوهای SSD طراحی می‌شوند و قابلیت کار در ابزارهایی که اطلاعات را در حجم وسیعی بر روی درایو نوشته و از روی آن می‌خوانند، دارا می‌باشد. سامسونگ و سان میکروسیستمر این فناوری را با هدف بکارگیری در سیستم‌های حساسی مانند سرورها که باید بطور شبانه‌روزی به کار خود ادامه دهند، طراحی می‌نمایند. نرم‌افزارها و برنامه‌هایی که احتمالاً بیشترین بهره را از این حافظه‌ها خواهند برد شامل برنامه‌های ویدیوی جریانی، نرم‌افزارهای پردازش اطلاعات با تراکنش بالا، موتورهای جست‌وجو و دیگر عملیات پرسرعت بر روی سرورها می‌باشند.


کد مطلب: 10520

آدرس مطلب: https://www.itna.ir/news/10520/همکاری-سامسونگ-سان-میکروسیستمز-ساخت-حافظه-های-فلش-جدید

ايتنا
  https://www.itna.ir