سرویس اخبار خارجی ایتنا - محققین شرکت IBM ادعا کردند یک مانع اساسی بر سر ساخت ترانزیستورهایی در مقیاس نانو را از سر راه خود برداشتند.

این محققین موفق شدند یکی از مشکلات پیچیده‌ای را که مانع از ساخت ترانزیستورهایی با استفاده از قطعات کوچک گرافیت می‌شده از پیش پای خود بردارند.

دانشمندان تاکنون تلاش می‌کردند مدارهایی را با استفاده از گرافین یعنی ساختاری شبکه‌ای و دوبعدی از اتم‌های کربن ایجاد کنند.

خواص الکترونیکی گرافین این ماده را به جانشینی ایده‌آل برای ترانزیستورهای سیلیکونی که از حجم و اندازه‌ای به مراتب بزرگ‌تر برخوردار هستند مبدل ساخته است.

با این حال بزرگ‌ترین مشکلی که محففین در کار با گرافین با آن مواجه بودند این مطلب است که این ماده بسیار مستعد ایجاد تداخلات فرکانسی می‌باشد.

سیگنال‌های الکتریکی که در اطراف ساختمان اتم‌ها ایجاد می‌شود کارکرد عادی آنرا مختل نموده و سبب بروز حالتی می‌شود که به آن «قانون هوگ» می‌گویند.

دانشمندان IBM این مشکل را با افزودن لایه دومی از گرافین به ترانزیستور مرتفع نمودند.
به کارگیری لایه دوم موجب خواهد شد تا اثر تداخلی تا اندازه‌ای کاهش یابد که ترانزیستور بتواند عملکرد عادی خود را بازیابد.